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NTMD2P01R2
1500
1200
C iss
V DS = 0 V
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
5
4
QT
20
18
16
14
900
600
C rss
C iss
3
2
Q1
Q2
V GS
12
10
8
300
0
10
5
0
5
10
C oss
C rss
15
20
1
0
0
2
4
V DS
6
8
10
I D = ? 2.4 A
T J = 25 ° C
12
14
6
4
2
0
? V GS ? V DS
GATE ? TO ? SOURCE OR DRAIN ? TO ? SOURCE
VOLTAGE (VOLTS)
Figure 7. Capacitance Variation
Q g , TOTAL GATE CHARGE (nC)
Figure 8. Gate ? to ? Source and
Drain ? to ? Source Voltage versus Total Charge
1000
100
V DD = ? 10 V
I D = ? 1.2 A
V GS = ? 2.7 V
t r
100
10
t d (off)
t r
t d
(on)
t f
10
1.0
10
t d (off)
t d (on)
t f
100
1.0
V DD = ? 10 V
I D = ? 2.4 A
V GS = ? 4.5 V
1.0
10
100
2
R G, GATE RESISTANCE (OHMS)
Figure 9. Resistive Switching Time Variation
versus Gate Resistance
R G, GATE RESISTANCE (OHMS)
Figure 10. Resistive Switching Time Variation
versus Gate Resistance
1.6
1.2
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
I S
di/dt
t rr
0.8
0.4
t p
t a
t b
0.25 I S
TIME
I S
0
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1
? V SD, SOURCE ? TO ? DRAIN VOLTAGE (VOLTS)
Figure 11. Diode Forward Voltage
versus Current
Figure 12. Diode Reverse Recovery Waveform
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4
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